ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HS3J V6G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ TSC (Taiwan Semiconductor) - HS3J V6G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ TSC (Taiwan Semiconductor) - HS3J V6G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AB (SMC) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery = 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75ns | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AB, SMC | |
| ชื่ออื่น | HS3J V6G-ND HS3JV6G |
|
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน | 8 Weeks | |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
| ประเภทไดโอด | Standard | |
| คำอธิบายโดยละเอียด | Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC) | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10µA @ 600V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ TSC (Taiwan Semiconductor) HS3J V6G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HS3J V6G | HS3M R6 | HS3M R7 | HS3MB-13-F |
| ผู้ผลิต | TSC (Taiwan Semiconductor) | Taiwan Semiconductor Corporation | Taiwan Semiconductor Corporation | Diodes Incorporated |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10µA @ 600V | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | DO-214AB, SMC | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AB (SMC) | DO-214AB (SMC) | DO-214AB (SMC) | - |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| ชื่ออื่น | HS3J V6G-ND HS3JV6G |
- | - | - |
| ความเร็ว | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 3A | 3A | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz | 50pF @ 4V, 1MHz | 50pF @ 4V, 1MHz | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75ns | 75 ns | 75 ns | - |
| ประเภทไดโอด | Standard | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600V | 1000 V | 1000 V | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน | 8 Weeks | - | - | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด | Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC) | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล HS3J V6G PDF และเอกสาร TSC (Taiwan Semiconductor) สำหรับ HS3J V6G - TSC (Taiwan Semiconductor)
HS3MB-13-FDiodes Incorporated
HS353149HYNIXHS3308FLCOSMOSICHS369EHSHS353135NZDINEYARDHS3FB R5Taiwan Semiconductor
HS3520CR Magnetics, Inc.HS354134IVNETHS353106LG
HS353125BLUMILEDSHS369DHSHS3J T/RTaiwan SemiconductorHS3700-HKHISENSEHS3M R6Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 3A DO214ABHS3KB R5Taiwan SemiconductorHS3M R7Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 3A DO214ABHS353141MINC-TECHHS3GB R5Taiwan Semiconductor| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที